一种区熔炉反射环的制作方法
【专利摘要】本实用新型提供一种区熔炉反射环，包括反射环固定件,固定件包括圆环固定架和和夹持件,固定架位于夹持件的一端,固定架内固定一封闭圆环,封闭圆环的上半部开有若干U型槽。该反射环的设计，能够避免硅单晶在区熔保持过程中产生开裂的情况。
【专利说明】一种区熔炉反射环
【技术领域】
[0001 ] 本实用新型涉及一种硅单晶区熔炉的反射环。
【背景技术】
[0002]如图1、2所述，现有的技术中的区熔炉反射环，为上部带有冷却水管的铜质非封闭圆环。而实际生产中我们发现，硅单晶在区熔保持的过程中会产生开裂的情况。
【发明内容】
[0003]本实用新型要解决的问题是提供一种区熔炉反射环，避免出现硅单晶保持过程中开裂的情况。
[0004]为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案是:包括反射环固定件，所述固定件包括圆环固定架和和夹持件，所述圆环固定架位于夹持件的一端，所述圆环固定架内固定一封闭圆环，所述封闭圆环的上半部开有若干U型槽。
[0005]进一步，所述封闭圆环为铜质圆环。
[0006]优选的，所述圆环高度为15_60mm。
[0007]优选的，所述U型槽深度为5-20_。
[0008]本实用新型具有的优点和积极效果是:本实用新型改变了原有反射环的结构，取消了冷却水管，并在圆环上开槽，该结构的设计能降低硅单晶在保持过程中的内应力，有效地避免了硅单晶的开裂。
【专利附图】
【附图说明】
[0009]图1是现有技术中反射环的俯视结构示意图
[0010]图2是现有技术中反射环的侧视结构示意图
[0011]图3是本实用新型反射环的俯视结构示意图
[0012]图4是本实用新型反射环的侧视结构示意图
[0013]图中:
[0014]1、冷却水路2、非封闭圆环 3、夹持件
[0015]4、圆环固定架5、封闭圆环6、U型槽
【具体实施方式】
[0016]如图1所示，现有技术中的反射环包括非封闭圆环I和位于非封闭式圆环I外部的冷却水路2，该非封闭圆环2的厚度约为15-40mm。而经过我方的试验的研究论证，发现这种设计容易造成硅单晶在保持过程中由于内应力过大产生开裂的情况。故针对这个问题对反射环进行了重新设计和改进。
[0017]本申请的区熔炉反射环，包括反射环固定件，固定件包括圆环固定架4和和夹持件3，圆环固定架4位于夹持件3的一端，圆环固定架4内固定一封闭圆环5，封闭圆环5的上半部开有若干U型槽6。该封闭圆环5为铜质圆环。圆环高度为15-60mm。上半部开有深度为5-20mm的若干个U型槽6。
[0018]本申请的反射环的结构能将单晶辐射出的热量反射回去，并且由于电磁感应原理，反射环产生磁感线对单晶产生辅助加热的作用，减小了单晶轴向温度梯度，减少了开裂的几率。
[0019]以上对本实用新型的一个实施例进行了详细说明，但所述内容仅为本实用新型的较佳实施例，不能被认为用于限定本实用新型的实施范围。凡依本实用新型申请范围所作的均等变化与改进等，均应仍归属于本实用新型的专利涵盖范围之内。
【权利要求】
1.一种区熔炉反射环，其特征在于:包括反射环固定件，所述固定件包括圆环固定架和夹持件，所述固定架位于夹持件的一端，所述固定架内固定一封闭圆环，所述封闭圆环的上半部开有若干U型槽。
2.根据权利要求1所述的反射环，其特征在于:所述封闭圆环为铜质圆环。
3.根据权利要求1所述的反射环，其特征在于:所述圆环高度为15-60mm。
4.根据权利要求1所述的反射环，其特征在于:所述U型槽深度为5-20mm。
【文档编号】C30B29/06GK204111913SQ201420575042
【公开日】2015年1月21日 申请日期:2014年9月30日 优先权日:2014年9月30日
【发明者】王遵义, 姚长娟, 刘旭光, 冯啸桐, 孙昊, 刘琨, 邬丽丽, 张雪囡 申请人:天津市环欧半导体材料技术有限公司