层叠体的制造方法、层叠体和半导体封装的制造方法与流程

本发明涉及层叠体的制造方法、层叠体和半导体封装的制造方法。

背景技术：

1、具备集成电路等的半导体设备是通过接合线或焊料球等与再布线层(rdl)电连接而进行安装，进而用树脂进行密封，制成半导体封装。

2、半导体封装例如用如下方法制造。首先，在玻璃基板上形成再布线层之后，通过接合线或焊料球等将半导体设备与再布线层电连接。其后，用树脂密封半导体设备。接下来，通过从玻璃基板剥离安装有被树脂密封的半导体设备的再布线层，从而得到半导体封装。考虑到半导体封装的制造工序中因热所致的基板变形，使用如专利文献1所记载的具有翘曲的玻璃基板作为用于制造半导体封装的玻璃基板。专利文献1中记载有如下玻璃基板，该玻璃基板的翘曲为2～300μm，且翘曲所致的倾斜角度为0.0004～0.12°。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1:日本特许第6601493号公报

技术实现思路

1、上述专利文献1的玻璃基板经历成型工序和缓冷工序而形成翘曲。虽然通过调整缓冷工序的缓冷温度来调整翘曲和翘曲所致的倾斜角度，但翘曲量等的调整并不容易。

2、因此，本发明的目的在于提供一种层叠体的制造方法，该制造方法可容易地制造具有翘曲、且暴露于高温后仍维持翘曲的层叠体，另外，本发明的目的在于提供具有翘曲的层叠体，以及提供一种半导体封装的制造方法。

3、本发明人等进行了深入研究，结果发现，通过以下构成可实现上述目的。

4、本发明的方式提供一种层叠体的制造方法，该制造方法具有如下工序：形成前体层叠体的工序，该前体层叠体依次具有第1玻璃基板、热固化性树脂层、和平均热膨胀系数比第1玻璃基板大的第2玻璃基板；对前体层叠体实施加热处理，一边使第1玻璃基板和第2玻璃基板膨胀一边使热固化性树脂层热固化而得到树脂层的工序；以及，将实施了热固化处理的前体层叠体冷却而得到具有翘曲的层叠体的工序。

5、优选第1玻璃基板与第2玻璃基板的平均热膨胀系数的差为0.3～2.0ppm/℃。

6、优选热固化时的热固化性树脂层的温度为400℃以下。

7、优选热固化性树脂层的热固化在比热固化性树脂层的热固化起始温度高20℃以上的温度进行。

8、本发明的方式提供一种层叠体，该层叠体依次具有第1玻璃基板、树脂层、和第2玻璃基板，第2玻璃基板的平均热膨胀系数大于第1玻璃基板的平均热膨胀系数，且层叠体具有翘曲。

9、优选第1玻璃基板的外侧的表面是形成电子设备的面。

10、优选第1玻璃基板、树脂层和第2玻璃基板以第1玻璃基板的外侧的表面凸出的方式进行进行弯曲，且在弯曲的第1玻璃基板上配置电子设备。

11、优选第1玻璃基板与第2玻璃基板的平均热膨胀系数的差为0.3～2.0ppm/℃。

12、优选层叠体的总厚度为0.3～3.0mm。

13、优选层叠体的翘曲量超过0μm且为500μm以下。

14、优选以250℃加热3小时后的层叠体的翘曲量超过0μm且为500μm以下。

15、本发明的方式提供一种半导体封装的制造方法，该制造方法具有如下工序：准备层叠体的工序，该层叠体依次具有第1玻璃基板、树脂层、和第2玻璃基板，且第2玻璃基板的平均热膨胀系数大于第1玻璃基板的平均热膨胀系数，且该层叠体具有翘曲；在第1玻璃基板的外侧的表面形成再布线层的工序；将半导体设备与再布线层电连接的工序；使用树脂密封半导体设备的工序；以及，将安装有被树脂密封了的半导体设备的再布线层从第1玻璃基板剥离的工序。

16、根据本发明，可容易地制造具有翘曲、且暴露于高温后仍维持翘曲的层叠体。另外，可提供具有翘曲的层叠体。进而，可制造半导体封装。

技术特征：

1.一种层叠体的制造方法，具有如下工序：

2.根据权利要求1所述的层叠体的制造方法，其中，所述第1玻璃基板与所述第2玻璃基板的平均热膨胀系数的差为0.3～2.0ppm/℃。

3.根据权利要求1或2所述的层叠体的制造方法，其中，所述热固化时的所述热固化性树脂层的温度为400℃以下。

4.根据权利要求1～3中任1项所述的层叠体的制造方法，其中，所述热固化性树脂层的所述热固化以比所述热固化性树脂层的热固化起始温度高20℃以上的温度进行。

5.一种层叠体，其依次具有第1玻璃基板、树脂层和第2玻璃基板，

6.根据权利要求5所述的层叠体，其中，所述第1玻璃基板的外侧的表面是形成电子设备的面。

7.根据权利要求5所述的层叠体，其中，所述第1玻璃基板、所述树脂层和所述第2玻璃基板以所述第1玻璃基板的外侧的表面成为凸状的方式弯曲，且在弯曲的所述第1玻璃基板上配置有电子设备。

8.根据权利要求5～7中任1项所述的层叠体，其中，所述第1玻璃基板与所述第2玻璃基板的平均热膨胀系数的差为0.3～2.0ppm/℃。

9.根据权利要求5～8中任1项所述的层叠体，其中，所述层叠体的总厚度为0.3～3.0mm。

10.根据权利要求5～9中任1项所述的层叠体，其中，所述层叠体的翘曲量超过0μm且为500μm以下。

11.根据权利要求5～10中任1项所述的层叠体，其中，所述层叠体在250℃加热3小时后的翘曲量超过0μm且为500μm以下。

12.一种半导体封装的制造方法，具有如下工序：

技术总结
本发明涉及一种层叠体的制造方法，该制造方法具有如下工序：形成前体层叠体的工序，该前体层叠体依次具有第1玻璃基板、热固化性树脂层、和平均热膨胀系数比上述第1玻璃基板大的第2玻璃基板；对前体层叠体实施加热处理，一边使第1玻璃基板和第2玻璃基板膨胀一边使热固化性树脂层热固化而得到树脂层的工序；以及，将实施了热固化处理的前体层叠体冷却而得到具有翘曲的层叠体的工序。

技术研发人员：山田和夫
受保护的技术使用者：AGC株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/12