凡800ppm、氧化镁300ppm、氧化祕600ppm、氧化错lOOppm、氧化钡300ppm、氧化钯 lOOppm、氧化锡600ppm、氧化铟50ppm、氧化硼1200ppm、碳酸|丐700ppm、碳化妈200ppm和 2. 2X IO4份阿拉伯树胶，混合均匀后，压制成型，压制成型的压力为4MPa，压制成型的时 间为15s，压制成型过程中温度为150°C，再进行烧结，先升温至340°C，保温2h，然后以 1. 5°C /min的升温速度升温至1000°C，保温60min，自然冷却得到高饱和磁感应强度宽温低 损耗软磁铁氧体。
[0040] 实施例3
[0041] 本发明提出的一种高饱和磁感应强度宽温低损耗软磁铁氧体的制备方法，包括如 下步骤：
[0042] S1、按摩尔份将16份氧化钇、23份氧化钴、21份氧化铜、9份氧化锶加入盐酸中完 全溶解后，再加入将76份氯化亚铁、13份氯化锰、25份氯化锌、16份氯化镍搅拌均匀得到物 料A ;
[0043] S2、按重量份向100份物料A中滴加氢氧化钠溶液至pH值为10,静置陈化14h，接 着加入4. 5份三乙醇胺和2. 8份P123进行搅拌，静置后进行水热反应，水热反应的温度为 205°C，水热反应的时间为9h，自然冷却，水洗，抽滤，烘干得到物料B ;
[0044] S3、以物料B的总重量为基准，向物料B中加入氧化锆350ppm、氧化钛lOOOppm、 氧化1凡600ppm、氧化镁380ppm、氧化祕300ppm、氧化错160ppm、氧化钡240ppm、氧化钯 140ppm、氧化锡450ppm、氧化铟120ppm、氧化硼1050ppm、碳酸|丐780ppm、碳化妈140ppm和 2. 6X IO4份聚酰亚胺，混合均匀后，压制成型，压制成型的压力为2. 5MPa，压制成型的时 间为18s，压制成型过程中温度为130°C，再进行烧结，先升温至355°C，保温I. 2h，然后以 2. 2°C /min的升温速度升温至985°C，保温120min，自然冷却得到高饱和磁感应强度宽温低 损耗软磁铁氧体。
[0045] 实施例4
[0046] 本发明提出的一种高饱和磁感应强度宽温低损耗软磁铁氧体的制备方法，包括如 下步骤：
[0047] Sl、按摩尔份将14份氧化钇、25份氧化钴、19份氧化铜、11份氧化锶加入盐酸中完 全溶解后，再加入将74份氯化亚铁、15份氯化锰、24份氯化锌、17份氯化镍搅拌均匀得到物 料A ;
[0048] S2、按重量份向100份物料A中滴加氢氧化钠溶液至pH值为10,静置陈化12h，接 着加入5. 5份三乙醇胺和2. 4份P123进行搅拌，静置后进行水热反应，水热反应的温度为 215°C，水热反应的时间为8h，自然冷却，水洗，抽滤，烘干得到物料B ;
[0049] S3、以物料B的总重量为基准，向物料B中加入氧化锆450ppm、氧化钛800ppm、 氧化1凡700ppm、氧化镁320ppm、氧化祕500ppm、氧化错130ppm、氧化钡280ppm、氧化钯 llOppm、氧化锡550ppm、氧化铟80ppm、氧化硼1150ppm、碳酸妈730ppm、碳化妈180ppm和 2. 4X IO4份环氧树脂，混合均匀后，压制成型，压制成型的压力为3. 2MPa，压制成型的时 间为16s，压制成型过程中温度为140°C，再进行烧结，先升温至345°C，保温I. 6h，然后以 I. 8°C /min的升温速度升温至995°C，保温90min，自然冷却得到高饱和磁感应强度宽温低 损耗软磁铁氧体。
[0050] 实施例5
[0051] 本发明提出的一种高饱和磁感应强度宽温低损耗软磁铁氧体的制备方法，包括如 下步骤：
[0052] Sl、按摩尔份将15份氧化钇、24份氧化钴、20份氧化铜、10份氧化锶加入盐酸中完 全溶解后，再加入将75份氯化亚铁、14份氯化锰、24. 5份氯化锌、16. 5份氯化镍搅拌均匀得 到物料A ;
[0053] S2、按重量份向100份物料A中滴加氢氧化钠溶液至pH值为10,静置陈化13h， 接着加入5份三乙醇胺和2. 6份P123进行搅拌，静置后进行水热反应，水热反应的温度为 210°C，水热反应的时间为8.5h，自然冷却，水洗，抽滤，烘干得到物料B;
[0054] S3、以物料B的总重量为基准，向物料B中加入氧化锆400ppm、氧化钛900ppm、 氧化1凡650ppm、氧化镁350ppm、氧化祕400ppm、氧化错140ppm、氧化钡250ppm、氧化钯 120ppm、氧化锡400ppm、氧化铟lOOppm、氧化硼llOOppm、碳酸|丐750ppm、碳化妈160ppm和 2. 5X104份阿拉伯树胶，混合均匀后，压制成型，压制成型的压力为3MPa，压制成型的时 间为17s，压制成型过程中温度为135°C，再进行烧结，先升温至350°C，保温1.4h，然后以 2°C/min的升温速度升温至990°C，保温105min，自然冷却得到高饱和磁感应强度宽温低损 耗软磁铁氧体。
[0055] 对实施例5进行性能测试，采用ZP40A和ZP3K作为对照组，其中磁芯损耗检测条 件为100Kc，200mT ;其结果如下：
[0056]
[0057] 对实施例5还在80°C和120°C下进行磁芯损耗的检测，其中80°C时磁芯损耗max 为390kw/m3,120°C时磁芯损耗 max为410kw/m3。
[0058] 以上所述，仅为本发明较佳的【具体实施方式】，但本发明的保护范围并不局限于此， 任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其 发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1. 一种高饱和磁感应强度宽温低损耗软磁铁氧体的制备方法，其特征在于，包括如下 步骤： 51、 将氧化钇、氧化钴、氧化铜、氧化锶加入盐酸中完全溶解后，再加入将氯化亚铁、氯 化锰、氯化锌、氯化镍搅拌均匀得到物料A; 52、 向物料A中滴加氢氧化钠溶液至pH值为9~11，静置陈化10~15h，接着加入三 乙醇胺和P123进行搅拌，静置后进行水热反应，自然冷却，水洗，抽滤，烘干得到物料B; 53、 向物料B中加入氧化锆、氧化钛、氧化钒、氧化镁、氧化铋、氧化铝、氧化硼、氧化钡、 氧化钯、氧化锡、氧化铟、碳酸钙、碳化钨和粘合剂，混合均匀后，压制成型，再进行烧结，冷 却得到高饱和磁感应强度宽温低损耗软磁铁氧体。2. 根据权利要求1所述高饱和磁感应强度宽温低损耗软磁铁氧体的制备方法，其特征 在于，Sl中，氧化钇、氧化钴、氧化铜、氧化锶的摩尔比为12~18 :22~26 :18~22 :8~ 12。3. 根据权利要求1或2所述高饱和磁感应强度宽温低损耗软磁铁氧体的制备方法，其 特征在于，Sl中，氯化亚铁、氯化锰、氯化锌、氯化镍的摩尔比为72~78 :12~16 :23~26 : 15 ~18〇4. 根据权利要求1-3任一项所述高饱和磁感应强度宽温低损耗软磁铁氧体的制备方 法，其特征在于，Sl的物料A中，亚铁离子和钇离子的摩尔比为72~78 :12~18。5. 根据权利要求1-4任一项所述高饱和磁感应强度宽温低损耗软磁铁氧体的制备方 法，其特征在于，S2中，物料A与三乙醇胺、P123的重量比为100 :4~6 :2~3。6. 根据权利要求1-5任一项所述高饱和磁感应强度宽温低损耗软磁铁氧体的制备方 法，其特征在于，S2中，水热反应的温度为200~220°C，水热反应的时间为7~10h。7. 根据权利要求1-6任一项所述高饱和磁感应强度宽温低损耗软磁铁氧体的制备方 法，其特征在于，S3中，物料B与氧化错、氧化钛、氧化银、氧化镁、氧化祕、氧化铝、氧化硼、 氧化钡、氧化钯、氧化锡、氧化铟、碳酸钙、碳化钨的重量比为IX105:30~50 :70~120 : 50 ~80 :30 ~40 :20 ~60 :10 ~20 :20 ~30 :10 ~15 :40 ~60 :5 ~15 :100 ~120 :70 ~ 80 :10 ~20。8. 根据权利要求1-7任一项所述高饱和磁感应强度宽温低损耗软磁铁氧体的制备方 法，其特征在于，S3中，物料B与粘合剂的重量比为100 :2. 2~2. 8 ;优选地，S3中，粘合剂 为环氧树脂、阿拉伯树胶、聚酰亚胺中的一种。9. 根据权利要求1-8任一项所述高饱和磁感应强度宽温低损耗软磁铁氧体的制备方 法，其特征在于，S3中，压制成型的压力为2~4MPa，压制成型的时间为15~20s，压制成 型过程中温度为120~150°C。10. 根据权利要求1-9任一项所述高饱和磁感应强度宽温低损耗软磁铁氧体的制备方 法，其特征在于，S3中，烧结的具体操作为：升温至340~360°C，保温1~2h，然后以1. 5~ 2. 5°C/min的升温速度升温至980~1000°C，保温60~150min。
【专利摘要】本发明公开了一种高饱和磁感应强度宽温低损耗软磁铁氧体的制备方法，包括如下步骤：将氧化钇、氧化钴、氧化铜、氧化锶加入盐酸中完全溶解后，再加入将氯化亚铁、氯化锰、氯化锌、氯化镍搅拌均匀得到物料A；向物料A中滴加氢氧化钠溶液至pH值为9～11，静置陈化10～15h，接着加入三乙醇胺和P123进行搅拌，静置后进行水热反应，自然冷却，水洗，抽滤，烘干得到物料B；向物料B中加入氧化锆、氧化钛、氧化钒、氧化镁、氧化铋、氧化铝、氧化硼、氧化钡、氧化钯、氧化锡、氧化铟、碳酸钙、碳化钨和粘合剂，混合均匀后，压制成型，再进行烧结，冷却得到高饱和磁感应强度宽温低损耗软磁铁氧体。
【IPC分类】C04B35/622, C04B35/40
【公开号】CN105174934
【申请号】
【发明人】瞿德林, 王久如, 蒲成刚, 李丛俊
【申请人】天长市中德电子有限公司
【公开日】2015年12月23日
【申请日】2015年8月31日