一种3d封装用镀金或镀镍锡铜球制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及电子元器件制造技术，具体的为一种3D封装用镀金或镀镍锡铜球制备方法。
【背景技术】
[0002]近年来，以智能手机为代表的电子产品在市场上的需求迅速的扩大，这些小型化、多功能产品的发展十分显著。随着这些的发展，因小型化、窄间距化、多针化的封装电子零件制造也应运而生。
[0003]为了满足这些需求，发展处以堆叠封装(POP)为代表的3D封装电子零件的积层化，以及晶圆级晶片尺寸封装(WLCSP)等技术。在使用锡球来对应时，在多次回焊后，使锡球在此熔融，此时多层次的电子零件重量使锡球溃散，导致无法确保PKG间所需的空间，也容易导致桥接而造成引脚的短路。铜核球的最大特征就是能确保回焊后PKG间所需的空间，以利于实现高密度3D封装。3D封装在电子零件结合基板的多层次构造上，需经多次的热制程。然而，铜核球里的铜熔点相当高，约1080°C，在焊锡封装温度区域中不会熔融，所以即使经过无数次的热制程，铜球仍存在于焊盘内并维持住空间。此空间便于容纳其他封装用的电子零件，因此为实现3D封装而发明镀金或镀镍锡铜球是必须的，也是一种封装趋势。
[0004]因此，有必要设计一种3D封装用镀金或镀镍锡铜球制备方法，来满足生产的需求。
【发明内容】
[0005]本发明提出一种3D封装用镀金或镀镍锡铜球制备方法，以便于制造3D封装使用。
[0006]本发明的技术方案是这样实现的:一种3D封装用镀金或镀镍锡铜球制备方法，包括下列步骤:
[0007]第一步:通过雾化法或物理气相法制造铜球；
[0008]第二步:对第一步制造好的铜球进行研磨；
[0009]第三步:对研磨后的铜球进行清洗，然后烘干；
[0010]第四步:对烘干后的铜球进行圆度筛选，选出真圆度要求合格的铜球；
[0011]第五步:对第四步筛选出来的铜球进行尺寸筛选，选出符合直径要求的铜球；
[0012 ]第六步:对第五步筛选出来的铜球进行电镀。
[0013]进一步的，所述第四步筛选出来的铜球真圆度要求小于0.03。
[0014]进一步的，所述第五步筛选出来的铜球尺寸在0.05?0.5mm。
[0015]进一步的，所述第六步分为镀金或镀镍锡两种，
[0016]所述镀金是将第五步筛选出来的铜球表面电镀1_50μπι的镀金层；
[0017]所述镀镍锡是将第五步筛选出来的铜球表面先电镀一层1_50μπι的镀镍层，然后在电镀一层1_50μπι的镀锡层。
[0018]本发明的有益效果为:本发明的一种3D封装用镀金或镀镍锡铜球制备方法，制造一种用于3D封装用铜核球来代替传统使用的锡球，保证回焊后PKG间所需的空间，以利于实现高密度3D封装。
【具体实施方式】
[0019]下面对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0020]一种3D封装用镀金或镀镍锡铜球制备方法，包括下列步骤:
[0021 ]第一步:通过雾化法或物理气相法制造铜球；
[0022]第二步:对第一步制造好的铜球进行研磨；
[0023]第三步:对研磨后的铜球进行清洗，然后烘干；
[0024]第四步:对烘干后的铜球进行圆度筛选，选出真圆度要求合格的铜球；
[0025]第五步:对第四步筛选出来的铜球进行尺寸筛选，选出符合直径要求的铜球；
[0026]第六步:对第五步筛选出来的铜球进行电镀。
[0027]所述第四步筛选出来的铜球真圆度要求小于0.03。
[0028]所述第五步筛选出来的铜球尺寸在0.05?0.5mm。
[0029]所述第六步分为镀金或镀镍锡两种，分别对应生产镀金铜球或镀镍锡铜球，
[0030 ]所述镀金是将第五步筛选出来的铜球表面电镀I _50μπι的镀金层；
[0031]所述镀镍锡是将第五步筛选出来的铜球表面先电镀一层1_50μπι的镀镍层，然后在电镀一层1_50μπι的镀锡层。
[0032]以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种3D封装用镀金或镀镍锡铜球制备方法，其特征在于:包括下列步骤: 第一步:通过雾化法或物理气相法制造铜球； 第二步:对第一步制造好的铜球进行研磨； 第三步:对研磨后的铜球进行清洗，然后烘干； 第四步:对烘干后的铜球进行圆度筛选，选出真圆度要求合格的铜球； 第五步:对第四步筛选出来的铜球进行尺寸筛选，选出符合直径要求的铜球； 第六步:对第五步筛选出来的铜球进行电镀。2.根据权利要求1所述的一种3D封装用镀金或镀镍锡铜球制备方法，其特征在于:所述第四步筛选出来的铜球真圆度要求小于0.03。3.根据权利要求1所述的一种3D封装用镀金或镀镍锡铜球制备方法，其特征在于:所述第五步筛选出来的铜球尺寸在0.05?0.5mm。4.根据权利要求1所述的一种3D封装用镀金或镀镍锡铜球制备方法，其特征在于:所述第六步分为镀金或镀镍锡两种， 所述镀金是将第五步筛选出来的铜球表面电镀1-50μm的镀金层； 所述镀镍锡是将第五步筛选出来的铜球表面先电镀一层1-50μm的镀镍层，然后在电镀一层1-50μm的镀锡层。
【专利摘要】本发明公开了一种3D封装用镀金或镀镍锡铜球制备方法，包括下列步骤：第一步：通过雾化法或物理气相法制造铜球；第二步：对第一步制造好的铜球进行研磨；第三步：对研磨后的铜球进行清洗，然后烘干；第四步：对烘干后的铜球进行圆度筛选，选出真圆度要求合格的铜球；第五步：对第四步筛选出来的铜球进行尺寸筛选，选出符合直径要求的铜球；第六步：对第五步筛选出来的铜球进行电镀。制造一种用于3D封装用铜核球来代替传统使用的锡球，保证回焊后PKG间所需的空间，以利于实现高密度3D封装。
【IPC分类】H01L21/60
【公开号】CN105609437
【申请号】CN201610006073
【发明人】于瑞善
【申请人】重庆群崴电子材料有限公司
【公开日】2016年5月25日
【申请日】2016年1月5日