一种硅片清洗装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型属于硅片清洗装置领域，尤其是涉及一种硅片清洗装置。
【背景技术】
[0002]随着大规模集成电路的发展、集成电路的集成度不断提高、线宽不断减小，集成电路对硅片表面的洁净度、表面化学态、氧化膜厚度的要求也越来越高。半导体器件生产中的硅片必须经严格清洗，否则即使微量污染也会导致器件失效。清洗的目的在于清除表面污染杂质，包括无机物和有机物。这些杂质有的以原子状态或离子状态，有的以薄膜形式或颗粒形式存在于硅片表面。有机污染物包括光刻胶、有机溶剂残留物、合成蜡和人接触器件、工具、器皿带来的油脂或纤维。无机污染物包括重金属金、铜、铁、铬等，严重影响少数载流子寿命和表面电导；碱金属和钠等会引起严重漏电。颗粒污染包括硅渣、尘埃、细菌、微生物、有机胶体纤维等会导致各种缺陷。目前由于硅片清洗不当引起的器件失效的数量已超过集成电路中总损失的一半。要想得到高质量的硅片，必须改进传统清洗方法，使硅片具有非常洁净的表面。然而要达到此目标，对硅片清洗设备的改进是一个非常大的挑战。目前的硅片去污方法多采用多个清洗槽阶梯洗涤的方式，不仅工序繁杂而且洗涤后硅片表面的污染物会残留堆积在硅片表面，造成局部清洗不干净。
【发明内容】
[0003]有鉴于此，本实用新型旨在提出一种一种硅片清洗装置，以解决硅片清洗工序繁杂、硅片局部清洗不干净的问题。
[0004]为达到上述目的，本实用新型的技术方案是这样实现的:
[0005]—种硅片清洗装置，包括清洗槽、喷淋管、清洗篮、清洗槽侧壁一、清洗槽侧壁二、硅片垫板，其中所述清洗槽侧壁一与清洗槽侧壁二分别设有喷淋管，所述喷淋管的一端封闭，另一端与供水管相连，所述喷淋管上设有喷嘴，所述清洗槽的底部设有硅片垫板，所述清洗篮上设有齿槽，所述清洗篮的齿槽中插入硅片。
[0006]进一步的，所述齿槽中插入的硅片的数量为10?25片。
[0007]进一步的，所述硅片的放置方向与喷嘴方向平行。
[0008]进一步的，所述喷嘴的间距为5?15cm。
[0009]进一步的，所述喷淋管的内径为12?15mm。
[0010]进一步的，所述齿槽中插入的硅片的数量为13片。
[0011]相对于现有技术，本实用新型所述的一种硅片清洗装置具有以下优势:
[0012](I)本实用新型所述的一种硅片清洗装置能有效清洗掉硅片表面吸附的残留酸、碱或有机溶剂，让硅片能够得到彻底的清洗，避免了硅片表面局部清洗不干净的现象，提高了硅片的洁净度；
[0013](2)本实用新型所述的一种硅片清洗装置适用于不同尺寸的硅片，应用范围广泛，能有效避免硅片破裂和崩边现象，提高了硅片生产的成品率；
[0014](3)本实用新型所述的一种硅片清洗装置缩短了硅片被进一步腐蚀的时间，防止硅片表面被氧化，该装置清洗工序简单，节约了用水量。
【附图说明】
[0015]构成本发实用新型的一部分的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中:
[0016]图1为本实用新型实施例所述的清洗槽的结构示意图；
[0017]图2为本实用新型实施例所述的清洗篮的结构示意图；
[0018]图3为本实用新型实施例所述的放置清洗篮和硅片的硅片清洗装置的结构示意图
[0019]附图标记说明:
[0020]1-清洗槽;2-喷淋管;3-喷嘴;4-硅片垫板;5-清洗篮;6_清洗槽侧壁一;7_清洗槽侧壁二; 8-硅片;9-齿槽。
【具体实施方式】
[0021]需要说明的是，在不冲突的情况下，本实用新型中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0022]在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实用新型的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
[0023]在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接;可以是机械连接，也可以是电连接;可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以通过具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
[0024]下面将参考附图并结合实施例来详细说明本实用新型。
[0025]实施例1
[0026]—种硅片清洗装置，包括清洗槽1、喷淋管2、清洗篮5、清洗槽侧壁一 6、清洗槽侧壁二 7、硅片垫板4，其中所述清洗槽侧壁一 6与清洗槽侧壁二 7分别设有喷淋管2，所述喷淋管2的一端封闭，另一端与供水管相连，所述喷淋管2上设有喷嘴3，喷嘴3的间距为8cm，喷淋管2的内径为13mm，所述清洗槽I的底部设有硅片垫板4，所述清洗篮上设有齿槽9，将13片硅片8放入清洗篮5中，所述硅片8的放置方向与喷嘴3方向平行，清洗前保持清洗槽I里水溢流干净，然后放入带硅片8的清洗篮5清洗干净。
[0027]以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种硅片清洗装置，其特征在于:包括清洗槽(I)、喷淋管(2)、清洗篮(5)、清洗槽侧壁一 (6)、清洗槽侧壁二 (7)、硅片垫板(4)，其中所述清洗槽侧壁一 (6)与清洗槽侧壁二 (7)分别设有喷淋管(2)，所述喷淋管(2)的一端封闭，另一端与供水管相连，所述喷淋管(2)上设有喷嘴(3)，所述清洗槽(I)的底部设有硅片垫板(4)，所述清洗槽(I)内设有清洗篮(5)，所述清洗篮(5)上设有齿槽(9)，所述清洗篮(5)的齿槽(9)中插入硅片(8)。2.根据权利要求1所述的一种硅片清洗装置，其特征在于:所述齿槽(9)中插入的硅片(8)的数量为10?25片。3.根据权利要求1所述的一种硅片清洗装置，其特征在于:所述硅片(8)的放置方向与喷嘴方向平行。4.根据权利要求1所述的一种硅片清洗装置，其特征在于:所述喷嘴(3)的间距为5?15cm05.根据权利要求1所述的一种硅片清洗装置，其特征在于:所述喷淋管(2)的内径为12?15mm06.根据权利要求1所述的一种硅片清洗装置，其特征在于:所述齿槽(9)中插入的硅片(8)的数量为13片。
【专利摘要】本实用新型提供了一种硅片清洗装置，包括清洗槽、喷淋管、清洗篮、清洗槽侧壁一、清洗槽侧壁二、硅片垫板，其中所述清洗槽侧壁一与清洗槽侧壁二分别设有喷淋管，所述喷淋管的一端封闭，另一端与供水管相连，所述喷淋管上设有喷嘴，所述清洗槽的底部设有硅片垫板，所述清洗篮上设有齿槽，所述清洗篮的齿槽中插入硅片。本实用新型所述的一种硅片清洗装置能有效清洗掉硅片表面吸附的残留酸、碱或有机溶剂，让硅片能够得到彻底的清洗，避免了硅片表面局部清洗不干净的现象，提高了硅片的洁净度，该装置清洗工序简单，节约了用水量。
【IPC分类】H01L21/02, B08B3/02
【公开号】CN205289078
【申请号】
【发明人】房利
【申请人】天津天物金佰微电子有限公司
【公开日】2016年6月8日
【申请日】2015年12月31日