一种医疗器械用磁体的制作方法
【技术领域】
[0001 ]本实用新型涉及一种医疗器械用磁体。
【背景技术】
[0002]现有技术中用于医疗器械的磁体，该磁体所形成的磁场可活化人体细胞、活通经络、畅通气血，而该磁体所形成的磁场为均匀磁场，治疗效果不佳。另外磁体一般是粘结在医疗器械上的，不仅安装不方便，而且固定不牢靠，很容易掉落，从而影响医疗器械的使用性能。
【发明内容】
[0003]为了克服现有技术中存在上述的不足，本实用新型提供一种结构简单紧凑、安装方便、固定牢固可靠、且可产生梯度磁场的医疗器械用磁体。
[0004]本实用新型解决其技术问题的技术方案是:一种医疗器械用磁体，包括磁体主体，所述磁体主体的截面为直角梯形，且所述磁体主体上位于所述直角梯形的直边与短底边的连接处凹设有定位槽。
[0005]进一步，所述磁体主体的直角梯形的长底边为短底边的5倍，所述磁体主体的直角梯形的直边为短底边的1.5倍。
[0006]进一步，所述磁体主体由烧结钕铁硼磁性材料制成，所述磁体主体外还包覆有一层保护层，所述保护层为镀锌层，或者，所述保护层为镀铬层。
[0007]本实用新型在使用时，一般在医疗器械上设置有相对设置的卡槽和卡勾，直接将磁体主体插入卡槽与卡勾相对的空间内，磁体主体的直角梯形的斜边与长底边的连接处限位在卡槽内，而卡勾卡在定位槽内，从而实现磁体主体的安装与固定，不仅安装快速方便，而且固定牢固可靠。一般磁体主体成对并对称设置在医疗器械上，且磁体主体的截面呈直角梯形，从而产生梯度磁场，保证医疗器械的治疗效果。
[0008]本实用新型的有益效果在于:1、磁体主体的截面呈直角梯形，不仅结构简单紧凑，而且可以保证医疗器械的治疗效果。2、磁体主体上设置有定位槽，不仅安装快速方便，而且固定牢固可靠。3、磁体主体的直角梯形的长底边为短底边的5倍，磁体主体的直角梯形的直边为短底边的1.5倍，治疗效果更好。4、磁体主体由烧结钕铁硼磁性材料制成，尤其是采用性能大于N48和磁能积加内禀矫顽力之和大于60的烧结钕铁硼磁性材料制成，拥有极高的磁性能，其最大磁能积高过铁氧体10倍以上，磁性能稳定，而且机械加工性能好，从而便于加工。6、磁体主体外还包覆有一层保护层，可以保护磁体主体应用于恶劣的环境中，从而不被腐蚀。
【附图说明】
[0009]图1是本实用新型的结构示意图。
【具体实施方式】
[0010]下面结合附图和【具体实施方式】对本实用新型作进一步详细说明。
[0011]参照图1，一种医疗器械用磁体，包括磁体主体I，所述磁体主体的截面为直角梯形，且所述磁体主体I上位于所述直角梯形的直边2与短底边3的连接处凹设有定位槽4，所述磁体主体I的直角梯形的长底边5为短底边3的5倍，所述磁体主体I的直角梯形的直边2为短底边3的1.5倍。
[0012]本实用新型在使用时，一般在医疗器械上设置有相对设置的卡槽和卡勾，直接将磁体主体I插入卡槽与卡勾相对的空间内，磁体主体I的直角梯形的斜边6与长底边5的连接处限位在卡槽内，而卡勾卡在定位槽4内，从而实现磁体主体I的安装与固定，不仅安装快速方便，而且固定牢固可靠。一般磁体主体I成对并对称设置在医疗器械上，且磁体主体I的截面呈直角梯形，从而产生梯度磁场，保证医疗器械的治疗效果。
[0013]所述磁体主体I由烧结钕铁硼磁性材料制成，尤其是采用性能大于N48和磁能积加内禀矫顽力之和大于60的烧结钕铁硼磁性材料制成，拥有极高的磁性能，其最大磁能积高过铁氧体10倍以上，磁性能稳定，而且机械加工性能好，从而便于加工，所述磁体主体I外还包覆有一层保护层，可以保护磁体主体I应用于恶劣的环境中，从而不被腐蚀，所述保护层可以为镀锌层，也可以为镀铬层。
【主权项】
1.一种医疗器械用磁体，包括磁体主体，其特征在于:所述磁体主体的截面为直角梯形，且所述磁体主体上位于所述直角梯形的直边与短底边的连接处凹设有定位槽，所述磁体主体的直角梯形的长底边为短底边的5倍，所述磁体主体的直角梯形的直边为短底边的1.5倍。2.按照权利要求1所述的医疗器械用磁体，其特征在于:所述磁体主体由烧结钕铁硼磁性材料制成，所述磁体主体外还包覆有一层保护层。3.按照权利要求2所述的医疗器械用磁体，其特征在于:所述保护层为镀锌层。4.按照权利要求2所述的医疗器械用磁体，其特征在于:所述保护层为镀铬层。
【专利摘要】一种医疗器械用磁体，包括磁体主体，所述磁体主体的截面为直角梯形，且所述磁体主体上位于所述直角梯形的直边与短底边的连接处凹设有定位槽。本实用新型的有益效果在于：1、磁体主体的截面呈直角梯形，不仅结构简单紧凑，而且可以保证医疗器械的治疗效果。2、磁体主体上设置有定位槽，不仅安装快速方便，而且固定牢固可靠。
【IPC分类】H01F7/02, A61N2/08
【公开号】CN205303098
【申请号】
【发明人】罗立伟
【申请人】宁波合盛磁业有限公司
【公开日】2016年6月8日
【申请日】2015年10月28日