技术编号：10009301
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。在电路加工的很多工序中需要对加工表面进行封闭处理，用的最多的方法就是在表面生长一层二氧化硅作为封闭层，而生长二氧化硅的方法主要由硅烷和氧气合成反应生成二氧化硅和正硅酸乙酯分解反应生成二氧化硅，由于硅烷和氧气合成反应生成的二氧化硅致密性相对较差，且反应控制难度较大，再加上反应后在反应腔体内生成大量颗粒等问题，在对衬底要求较高的产品加工中大多使用正硅酸乙酯分解生成二氧化硅的方法来制作二氧化硅封闭层。正硅酸乙酯在常温下是液态，存储在不锈钢或石英罐内，通过不锈钢管...
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