技术编号：10009376
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。单晶硅生长主要有直拉法和区熔法。而直拉单晶硅生长由于其成本较低、品质良好而得到广泛应用。随着电力电子器件的发展及市场竞争越来越激烈。单晶硅的品质越来越受到重视，尤其是单晶径向电阻率均匀性(RRV)。而由于直拉硅晶体生长的特性，杂质浓度边界层与杂质分凝等综合效果，使切片上电阻率分布为中心低、边缘高的现象，即中心掺杂杂质浓度高、边缘掺杂杂质浓度低。因此，改善直拉硅单晶径向电阻率均匀性的途径，为减小界面杂质浓度边界层的差异，使电阻率分布更加均匀，一直以来都是技术...
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