技术编号:10037144
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在太阳能电池的生产过程中,刻蚀工序的目的是将硅片非扩散面及侧面P-N结以化学方法腐蚀掉,但是存在两种刻蚀不合格的可能第一种是欠刻,即侧面的P-N结没有彻底腐蚀掉,这样成品电池片会因为边缘导通而导致漏电,电池片效率会明显降低,同时电池片使用寿命明显降低;第二种刻蚀不合格的情况是过刻,即工艺过程中不但腐蚀掉了背面及侧面P-N结,而且将正面距离硅片边缘1.5 mm以内的P-N结也腐蚀掉(1.5 mm为电池片正电极边框位置),这样P型硅仍能将正负电极相连,成品电池...
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