技术编号：10037183
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。随着半导体技术的发展，为了获得更佳的参数和功能，芯片厚度的超薄化是目前特殊器件的一个趋势。减薄可以使芯片达到一定的厚度，满足划片、压焊和封装工艺的要求，同时去除背面的氧化层和扩散层，保证芯片焊接时背面的良好接触性，减少接触电阻和寄生效应。通常，在VDMOS (垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管)、IGBT (绝缘栅双极型晶体管)、三维集成电路(3DIC)及微机电系统(MEMS)等器件中，当硅片正面完成器件结构后，为了得到合适的导通电阻、饱和压降、耐压...
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