技术编号:10037595
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 以往,为了保护半导体装置及电子电路不受静电影响,使用例如专利文献 1(TO2008/146514)所不的ESD(Electro_Static Discharge静电放电)保护器件。 图7示出了专利文献1所示的ESD保护器件600的剖视图。 ESD保护器件600包括内部具有空洞107的陶瓷主体110。 空洞107内形成有端面103a、105a隔着间隔G相对的一对放电电极层103、105。 放电电极层103、105和其相对的区域109的下方形成有放电辅助电极...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。