技术编号:100463
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明和以几种液态物质为原料的气相化学反应,特别是掺杂的气相化学淀积技术领域相关。为了消除液态掺杂剂在基质液(指硅外延用的SiCl4,GaAs外延用的AsCl3等,文中均同)的分镏问题,H.C.Theuerer在J.Electrochem.Soc.109(1962)P742上曾提出稳态蒸发法,每次外延前都要予先生成稳态,而这种稳态又受温度和流量的影响。应当指出稳态的生成是困难的。后来,R.Nuttall在J.Electrochem.Soc.111(1964)P317上又提出补偿瓶法,补偿瓶只适用于双元溶液中掺杂剂的...
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