技术编号:10056838
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。—般功率半导体器件的加工厂使用的光刻机,刻开最小尺寸也要在0.4微米以上,因此P型岛的最小尺寸在1微米以上,这种情况下,一般P型岛区将占用15%以上的肖特基势皇区面积,影响JBS肖特基器件的参数性能;正是鉴于此种原因,现在很多芯片加工厂,不能制作出性能优良的JBS肖特基器件。实用新型内容本实用新型的目的是提供一种含定向扩散结的肖特基器件。上述的目的通过以下的技术方案实现—种含定向扩散结的肖特基器件,其组成包括硅单晶基片,所述的硅单晶基片上具有外延层,所述的...
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