技术编号：10072489
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。PVT (physical vapor transport，物理气相传输)法生长碳化娃晶体是现在企业和研究机构生产碳化硅单晶的普遍方法。其中生长坩祸的结构对于晶锭的形成质量有着至关重要的影响，现在常用的坩祸在生长过程中籽晶是镶嵌在石墨托上的，一般均采用托大于籽晶的方式镶嵌在底托上，这样的结构因籽晶边缘存在裸露石墨，在生长过程中容易在这一区域先结晶，结晶为异质结晶自由成核，生长速度快于籽晶结晶的生长速度。造成生长的晶体较差，成晶率及边缘应力突出。在后续的加工...
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