技术编号：10075373
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。碳化硅单晶生长炉的气路系统包含三个栗，分别为分子栗、机械栗、控压栗，其中分子栗与炉腔直接相连。在单晶生长过程中，通过气路向炉腔内输送特气时，残留在炉腔内装置上及保温毡上的杂质，会不可避免的随气流进入炉体，然后被吸附进生长坩祸内，作为杂质离子降低晶体质量。这些杂质随着气流进入炉腔，与炉腔内残留的粉尘等物质形成污染源，引起晶体质量下降；高温下，腔体内的石墨毡会产生石墨纤维，这些纤维也可通过气路进入分子栗，引起分子栗在高速抽气时沾污在旋片上造成栗体污染。从而导致...
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