技术编号:10087974
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。晶圆在加工的过程中需要对表面进行研磨抛光来消除其在单晶切割工序中产生的锯痕和损伤层,从而改善晶圆的几何精度,以求获得表面局部平整度、表面粗糙度和极低的光亮镜面来满足1C工艺要求。在机械化学研磨抛光过程中,化学反应与温度变化呈指数关系。温度的升高,导致化学反应加剧,使晶圆表面的抛光一致性较差,造成不均匀的平坦化效果;而在低温情况下,化学反应速度变慢,导致化学研磨抛光作用降低,材料移除速率变慢,研磨精度变差。因此研磨抛光区域的温度需要控制在一定的范围内。在研磨...
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