技术编号:10099095
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。—般情况下,化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing ;CMP)工序是指以在进行旋转的抛光平板上接触晶片等基板的状态进行旋转,并执行机械抛光来以达到预先设定的厚度的方式使基板的表面变得平坦的工序。为此,如图1所示,化学机械抛光装置一边以使抛光垫11覆盖抛光平板10的上方的状态进行自转,一边利用抛光头20将晶片W加压于抛光垫11的表面并旋转,从而对晶片的表面平坦地进行抛光。为此,具有调节器30,上述调节器30用于旋转30r按设...
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