技术编号：10128942
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。我们制作太阳能电池的硅片是P型的半导体材料。如果我们把这种P型硅片放在一个石英容器内，同时将含磷的气体通入这个石英容器内，加热到一定的温度，这时N型杂质磷可从化合物中分解出来，在容器内充满着含磷的蒸汽，在娃片周围包围着许许多多的磷的分子。根据扩散的基本原理，磷杂质会向硅片内部渗透扩散。在靠近硅片表面的薄层内扩散进去的磷原子最多，距表面愈远，磷原子愈少。也就是说，杂质浓度(磷浓度)随着距硅表面距离的增加而减少。这样我们就可以利用杂质原子向半导体晶片内部扩散的...
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