技术编号：10141800
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种电路结构，尤其是一种半桥驱动电路，属于半桥驱动的。背景技术场效应晶体管(M0SFET)作为大功率开关及高速开关器件，在电力电子技术中得到广泛应用，特别是电机控制领域。在电机驱动应用中，场效应晶体管经常用来组成半桥电路，其中半桥电路中的上半桥晶体管漏极与母线电源连接，上板桥晶体管的源极与下半桥晶体管的漏极相连，下半桥晶体管的源极与功率地相连，半桥电路的输出端由上半桥晶体管的源极端与下半桥晶体管漏极端连接后形成。一般地，半桥电路根据单片机输出...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术注重原理思路，无完整电路图，适合研究学习。