技术编号：10159151
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。随着集成电路工艺的发展，晶圆规格逐渐向大尺寸发展，12寸已逐渐成为集成电路制造的主流，未来甚至会发展到18寸及18寸以上。晶圆尺寸的扩大相应的引起晶圆边缘面积的扩大，对晶圆边缘缺陷的控制显得更加重要。目前，现有的化学气相沉积机台频繁出现晶圆边缘缺陷问题，而同时80%以上的化学气相沉积机台都处于后段铜制程区域，频繁的宕机严重影响了每月的出货量。所谓晶圆边缘缺陷，是指薄膜(特别是一些黏附性较差的薄膜)在晶圆边缘积累(一般需要经过几次薄膜沉积)到一定程度之后，在...
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