技术编号:10161282
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 磁控溅射发生在磁场范围内,现有技术中常用移动磁场提高靶材利用率。通过匀 速移动磁体形成移动磁场,让磁体做往复运动,这样可以有效提高靶材的利用率,可以让靶 材的利用率达到40 %至50 %。但是这种设备依旧存在的问题,假设磁场的移动速度为V1,工 件的移动速度为V2,磁场做往复运动时,当磁场与工件同向运动,他们的相对速度为V 2-V1, 当磁场与工件反向运动,他们的相对速度为VJV2。而且,当移动磁场运动速度较慢时(与 工件运行速度相比),移动磁场的移动速...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。