技术编号:10175324
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。机械研磨或化学机械研磨(Chemical Mechanical Polishing, CMP)为各种产业中常见的研磨制程,其可用以研磨各种物品的承载面,包括陶瓷、硅、玻璃、石英、金属等薄型工件,而随着集成电路发展迅速,为因应半导体制程中晶片平坦化的需要,研磨制程亦被广泛地运用在半导体产业之中。通常抛光研磨程序可分为硬抛及软抛。硬抛为执行温度较低、抛光力道较大的抛光程序,以使晶片100的粗糙度值RA小于0.1,为了固定晶片100,现有以胶类产品4将晶片100...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。