技术编号:10204901
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。气相沉积法作为半导体制造领,生长化合物的主要方法,其包括物理气相沉积(Physical Vapor Deposit1n,简称 PVD)法和化学气相沉积(Chemical VaporDeposit1n,简称 CVD)法。CVD法中的金属有机化合物化学气相沉积(Metal Organic Chemical VaporD印osit1n,简称MOCVD)法,可以是通过MOCVD设备根据M0源生长。通常单个M0CVD设备可与一个M0源单瓶连接,接收该一个M0源单瓶传...
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