技术编号：10229980
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。现有技术中，在制作倒置结构太阳能电池时，分别在外延片与导电衬底蒸镀平面薄膜结构的金属键合层，通过键合机在高温高压条件下将二者紧密连接在一起，随后再去除生长衬底，露出其受光面。最后，直接在倒置结构电池芯片受光面蒸镀减反射膜。其缺陷在于—，光线照射至金属键合层时，由于金属键合层为平面薄膜结构，光线直接反射，使得光线在电池内部传播的距离较短，光转化为光生载流子几率降低，光线吸收较少。二，在倒置结构电池芯片受光面蒸镀减反射膜，光线照射到受光面时，虽然蒸镀有减反射膜...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。