技术编号:10241677
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。碳化硅晶体、氮化铝晶体具有禁带宽、导热率高、击穿电场高等性能,适合制备耐高压、高频、高温的微电子器件,广泛应用于照明、航空航天、雷达探测等领域。物理气相传输(PVT)法是生长碳化硅晶体、氮化铝晶体的主要方法,通过射频感应石墨坩祸为生长炉提供热源。目前,为降低晶体内部的微管、位错等缺陷,提高晶体质量,优化生长炉温场、降低生长炉的温度梯度是目前工艺改进的主要方向。传统生长炉优化方案重点改善生长炉结构及操作工艺,忽略了线圈绕生长炉缠绕方式及其固定方式对温度场均匀...
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