技术编号:10266635
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。目前,在功率半导体器件及制造,常用的管壳形式为凸台式管壳,高度在20mm?40mm,制造成本高,重量大,不利于器件及组件的小型化;而凹台管壳的导电层和阀栏材料大多为可阀,导热性能差,热阻大,且器件封装焊接均采用氩弧焊(或等离子焊)方式进行,焊后管壳封口外观不平整、也不美观、易漏气。封装时使用氢气燃烧高温灼烧氩气进行,氢气使用过程存在重大安全隐患,使用环境苛刻,不利于生产扩展。发明内容为解决上述问题,本实用新型提供了一种功率半导体器件的封装用凹台无氧铜管壳,...
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