技术编号：10283885
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。在例如硅的半导体衬底上的经扩散或注入的电阻器可能由于压电电阻率现象而对机械应力敏感。因此，在集成电路(IC)中的增加的应力可能导致电参数的增加的变化，而且会发生功能故障。例如，硅和封装材料的导热系数的差异可能是引起几何变形的内部应力的来源。此外，封装工艺和IC的封装体可能是IC上的应力的来源。美国专利第7，437，260号公开了使用由一系列P掺杂电阻器和N掺杂电阻器组成的半导体电阻器的特定布局，每个都是L形，而且其中非常精确的所选固定比率可以理论地消除在给...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。