技术编号：10300247
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 憐化铜基双异质结双极型晶体管（InP D皿T)能够同时具有较高的击穿电压和特 征频率，在高频、宽带W及光电集成电路领域里占有显著地位，在雷达、航天卫星、导弹制 导、通信系统、空间防御、高速智能化武器及电子对抗等领域得到了越来越广泛的应用。 InP DHBT主要包括I型InGaAs/InP和II型GaAsSb/InP两种技术，其中InGaAs/InP 结构的InP D皿T目前主要存在W下缺点 1)由于基区InGaAs和集电区InP界面处由于能带不连续而存在...
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