技术编号：10319493
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。半导体工艺制程中需要导电插塞(contact plug)作为器件的引出之用，比如，在MOS晶体管的栅极、源极、漏极与金属互连线之间以及不同层的金属互连线之间均需要形成导电插塞，其中，源极和漏极形成于有源区(active area，AA)中，栅极形成于有源区上，通常采用多晶硅(poly)形成所述栅极，源极、漏极则是通过掺杂工艺形成，栅极、源极、漏极各自通过导电插塞与最底层的金属互连线电连接，相邻层的金属互连线则是通过位于其间的导电插塞电连接，因而导电插塞的电...
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