技术编号:10336000
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 忆容器是继第四种新型电路元件忆阻器之后的另一种记忆元件。此类器件具有纳 米结构和记忆特性,无需电源即可存储信息,可应用于非遗失性存储器和人工神经网络等 领域。目前只提出了忆容器的几个数学模型,尚未实现实际的物理器件。为了对忆容器进行 预先研究,设计一种忆容器仿真器具有重要意义。目前,虽然已经报导了少量的忆容器仿真 器模型,但都以分段线性、二次或三次非线性函数作为其数学模型,这与纳米结构下的忆容 器特性有较大差异,难以精确模拟实际忆容器的特性。因此,设计一...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
请注意,此类技术没有源代码,用于学习研究技术思路。