技术编号：10336001
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 2008年美国HP实验室采用Ti〇2材料，使用纳米技术实现了具有记忆性能的电阻元 件，称之为忆阻器。2009年扩展了记忆元件的概念，在忆阻器的基础上提出了忆容器的概 念，即具有记忆特性的电容器。此类器件和忆阻器一样无需电源即可存储信息，可应用于非 易失性存储器以及对学习、适应和自发行为的仿真。 目前，对忆阻器已经有大量的研究，而对忆容器的研究还很少，主要原因是忆容器 的数学模型还不够完善，物理可实现的实际忆容器尚未出现。因此，设计实现忆容器的等效 模型对...
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