技术编号:10336875
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种电力电子器件制造以及电力电子电路领域,尤其设计一种带雪崩击穿特性的AlGaN/GaN HEMTs器件的封装结构。背景技术GaN基半导体材料由于具有宽禁带、高电子迀移速度、高热导率、耐腐蚀,抗辐射等突出优点,在制作高温、高频、大功率电子器件方面有着独特的优势。AlGaN/GaN HEMTs (High electron mobility transisitors)器件是众多GaN基器件的研究热点。由于在异质结的存在,在不掺杂的情况下会通过压电效...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。