技术编号：10352847
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。传统的硅功率器件，它的击穿电压和导通电阻有如下关系，导通电阻正比于击穿电压的2.5次方，击穿电压增加I倍，导通电阻变为原来的4.7倍，这使得高压使用的场景(如要求击穿电压在600V以上)，器件的导通电阻变得无法接受。超级结是一种能够显著减小器件导通电阻的结构，它利用在漂移区中掺入具有互补类型的杂质(如在N型漂移区中掺入P型杂质)，可以大大减小导通电阻，实现。通常超级结的结构如下，以N型硅基超级结为例，超级结通常包含以下几个部分栅极，通常是由多晶硅组成，厚度...
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