技术编号:10363935
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。薄膜材料的真空制备通常可以通过物理气相沉积方式完成,其中离子束溅射镀膜装置与其他方法相比,具有分辨率高、薄膜致密度和控制精度高等特点。但现有的离子束溅射镀膜装置的最大问题是微量元素交叉污染问题。首先,非聚焦离子束物理气相沉积装置存在的问题是离子束的发散可以溅射其他结构表面而造成微量元素交叉污染;其次,现有的非聚焦离子束物理气相沉积装置只有一个独立的工艺腔,整个加工过程全部在工艺腔中完成,每次只能内置少量靶材在工艺腔的里面,在更换靶材时需要打开工艺腔,其高真...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。