技术编号：10370461
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。栅极是MOS管中重要的组成部分，是集成电路器件工作的指挥官，因此栅氧化工艺的精确控制，成了集成电路器件能否满足要求的必要条件之一。在当今的半导体制造中，由于具有良好的物理和化学特性，多年来二氧化硅一直被用作栅介质的主要材料，而垂直炉管在200毫米以上的工艺中，由于工艺控制精确，程式自动化程度高等诸多优点，已经彻底取代了水平式炉管。在半导体制造技术中，常压炉管是用来做栅氧化层的标准机台，随着半导体线宽的越来越小，特别是做到小于65nm的时候，栅氧化层的厚度要...
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