技术编号：10370468
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。目前多晶硅电池刻蚀工艺多采用酸法刻蚀技术，该工艺容易出现过刻现象且背面刻蚀效果较差。为了使多晶电池达到更好的背面腐蚀与抛光效果，我公司进行了背抛光技术的研发与推广。背面抛光技术是将硅片制绒后凹凸不平的背面通过碱液腐蚀做成抛光效果，使光波在电池内部能够被多次反射吸收，增加电池对入射光线的利用率，从而提升电池片转化效率。背抛光技术采用槽式碱法刻蚀工艺，即使用四甲基氢氧化铵对硅片进行选择性刻蚀，以达到背面抛光的效果。由于硅片和四甲基氢氧化铵反应时会有大量气泡产生...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。