Mo源合成装置的制造方法技术资料下载

技术编号:10383406

提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。

“MO源”即高纯金属有机化合物或化合物半导体微结构材料,是先进的金属有机化学气相沉积(简称MOCVD)、金属有机分子束外延(简称MOMBE)等技术生长半导体微结构材料的支撑材料,其优异的电学、光学和磁学等性能,可将半导体和集成电路推向更高的频率、更快的速度、更低的噪音和更大的功率。其中主要MO源品种有三甲基镓(CH3)3Ga TMGa、三乙基镓(C2H5)3Ga TEGa、三甲基铟(CH3)3In TMIn等。对于三甲基镓源合成时,传统使用液体卤代烷生产M...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。

详细技术文档下载地址↓↓

提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。