技术编号:10401537
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。锗是高纯半导体的基本原料,从锗精矿中提取锗的普遍方法是采用氯化蒸馏方法,具体是在锗精矿中加入盐酸进行蒸馏,锗以气态的四氯化锗的形式挥发而与其他杂志分离,从而达到提取锗的目的,由于四氯化锗的挥发温度在84°C,温度过高或过低都会造成大量杂志进入挥发气体中造成杂质含量过高,同时由于盐酸和四氯化锗具有强烈的腐蚀性,对反应釜要求较高。发明内容针对上述问题本实用新型提供了一种从锗精矿中提取锗的氯化蒸馏装置,该设备设计合理规范,使用方便,通过两层夹套的复合设计具有良好...
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