技术编号：10406709
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 蔡少棠在电阻、电容和电感的基础上提出了忆阻器的概念，2008年惠普实验室实 现了忆阻器。忆阻器具有纳米尺度结构，在非遗失性存储器及人工神经网络的研究等方面 具有重要意义。忆感器与忆阻器同属于记忆器件，无需外部电源即可存储信息。目前尚未实 现实际的忆感器，为了对忆感器进行预先研究，设计一种忆感器数学模型及其等效电路进 行实验和应用研究具有重要意义。 目前，有关忆感器的仿真模型中，主要有一次光滑曲线模型和二次光滑曲线模型， 研究者主要应用运些少数的忆感器模型...
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