技术编号：10456444
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。化学气相沉积方法制作类金刚石薄膜的原理是如附图1所示，1、高温钨丝阴极发射热电子;2、工艺气体通过进气管从钨丝背后进入真空腔室后，扩散并充满真空腔室;3、部分电子和工艺气体碰撞，把中性工艺气体电离成碳离子或者碳氢离子;4、碳离子或者碳氢离子沉积在基片表面，形成类金刚石薄膜。为了提高薄膜沉积效率，需要有效地将阴极钨丝发射的电子牵引至离子源的出口，以增加出口处电子和工艺气体分子的碰撞和电离概率，从而增加被电离的工艺气体沉积在基片表面的速度。如附图1所示，目前行...
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