技术编号:10466189
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。近年来,氮化铝(AlN)陶瓷因其高热导率、高绝缘性、低介电常数和介电损耗、良好的机械性能且与半导体材料相匹配的热膨胀系数等优异性能,成为新一代绝缘散热封装材料和半导体基片材料的首选,而只有高纯度、高致密度的AlN陶瓷才具有优异的综合性能。然而,一方面,由于氮化铝中的Al-N键具有较高的共价键成分,熔点高,自扩散系数小,烧结活性低,导致氮化铝粉末难以烧结致密化。另一方面,由于AlN极易水解形成Al2O3,这些Al2O3进入AlN晶格后形成AlON杂相(如A1...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。