技术编号：10467341
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。场效应晶体管(FET)广泛地用于电子工业以执行与模拟和数字电子信号相关的切换、放大、滤波及其它任务。其中最为常见的是金属氧化物半导体场效应晶体管(M0SFET或M0S)，在此类晶体管中，栅极结构被通电以在半导体体的下伏(underlying)沟道区域中产生电场，借此允许电子行进通过半导体体的源区与漏区之间的沟道。互补MOS(CMOS)器件已经广泛地用于半导体工业中，其中同时使用η型和P型(NM0S和PM0S)晶体管制造逻辑电路及其它电路。FET的源区和漏区...
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