技术编号:10467355
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。半导体刻蚀中目前有干法刻蚀与湿法刻蚀两种方法。干法刻蚀是把芯片周围的气体激发成为等离子体,等离子体在偏压引导下轰击由光刻胶作掩护的芯片表面,与芯片发生物理化学反应,从而在芯片表面刻蚀出所需形貌。现有的干法刻蚀设备包括相对设置的上电极和下电极、设置在下电极上的基座。将芯片放置在基座上,芯片上方的反应气体在上电极和下电极的作用下激发成为等离子体并轰击芯片表面,进行干法刻蚀。在实现本发明的过程中,发明人发现现有技术至少存在以下问题等离子体轰击芯片表面的过程中会产...
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