技术编号:10467365
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在半导体制程中,气相生长设备是使用各种不同来源气体形成薄膜。其中化学气相沉积(Chemical Vapor Deposit 1n,CVD)是一种用来产生纯度高、性能好的固态材料的化学技术。典型的CVD制程是将晶圆暴露在一种或多种不同的前驱物下,在晶圆表面发生化学反应或/及化学分解来产生欲沉积的薄膜。金属有机化学气相沉积(MetalOrganic Chemical Vapor Deposit1n,M0CVD),为化学气相沉积的一种,其于成长薄膜时,为将载流气...
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