技术编号：10468026
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。在多晶铸锭技术应用中，通常将硅原料盛装在石英坩祸内来制备所需产物。四块坩祸护板围合于石英坩祸的四周，石英坩祸放置在坩祸底板上，石英坩祸的顶部采用CC材质的盖板遮盖，以防止杂质落入石英坩祸内污染硅料，盖板固定于坩祸护板的上侧。随着多晶铸锭技术的发展，铸锭用坩祸盖板随着石英坩祸的加宽而加宽，使得盖板的厚度相对宽度显得更为薄弱，在高温条件下盖板四周和边角位置容易翘曲变形，导致边角接触顶部加热器的概率增加，从而出现拉弧打火，降低盖板的使用寿命。目前，为了提高盖板的...
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