技术编号:10470194
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种在用等离子体处理半导体衬底的腔室内使用的易损件,所述易损件包括主体和触发特征。所述主体具有配置为在腔室中的处理期间暴露于等离子体的表面,所述触发特征在主体中一体形成。所述触发特征包括空隙,所述空隙位于主体的表面之下,其中所述空隙配置为当所述表面因暴露于等离子体一段时间而被腐蚀时变得可见。所述空隙变得可见是主体的表面上的可识别的特征,显示了易损件的磨损程度,磨损程度与易损件的剩余处理时间的量有关。专利说明对半导体制造腔室中的易损件的剩余寿命的估计本发明要...
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