技术编号:10471854
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。随着半导体技术的不断发展,为了提高器件的性能,需要不断缩小集成电路器件的尺寸,随着CMOS器件尺寸的不断缩小,促进了三维设计如鳍片场效应晶体管(FinFET)的发展。相对于现有的平面晶体管,所述FinFET器件在沟道控制以及降低浅沟道效应等方面具有更加优越的性能;平面栅极结构设置于所述沟道上方,而在FinFET中所述栅极环绕所述鳍片设置,因此能从三个面来控制静电,在静电控制方面的性能也更突出。现有技术的批量生产中由于稳定的紫外线极紫外光刻(extreme-...
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