技术编号:10471864
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。沟槽型垂直双扩散场效应晶体管(Vertical Double Diffused Metal OxideSemi conductor,简称VDMOS)晶体管兼有双极晶体管和普通金属氧化物半导体(MetalOxide Semiconductor,简称M0S)器件的优点,无论是开关应用还是线形应用,VDMOS都是理想的功率器件。由于VDMOS的漏源两极分别在器件的两侧,使电流在器件内部垂直流通,增加了电流密度,改善了额定电流,单位面积的导通电阻也较小,是一种用途...
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