技术编号：10472310
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。反及(NAND)闪存被广泛用作移动装置的储存媒体、膝上型计算机及服务器中的固态磁盘、以及用于其他数据处理系统。为了提高反及闪存芯片上的数据密度，供货商已使用多电平单元(multilevel-cell，MLC)技术以在每一单元中储存二或更多个位的信息。然而，相较于其中每一单元储存一个位的信息的单电平单元(8；^0芯片，]\0^芯片通常在读取及程序操作中具有延迟时间(latency)较长、保持时间(retent1n time)较短以及因不同位值的临限电压之间的...
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