技术编号：10472311
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。快闪存储器电路需要内部和外部电源开关用于编程和擦除操作，需要字线/位线驱动器以传输高电压。但是高电压从栗体(pump block)产生，并且由外部电源支持。正偏压传输比负偏压传输更容易。因为正偏压传输通过高电压PMOS晶体管进行，所以总是阱偏压(well bias)高于或小于栗偏压，并且容易打开/关闭。然而，负偏压传输考虑P阱偏压和高电压NMOS晶体管。如果P阱偏压高于负偏压，偏压条件不接受，所以总是控制P阱偏压低于负偏压。用于快闪存储器的常规开关电路通常...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术无源代码，用于学习原理，如您想要源代码请勿下载。